EPC2034

功能描述:TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE

制造商:epc

系列:eGaN?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:GaNFET (Gallium Nitride)

漏源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):48A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 7mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.8nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):950pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:*

安装类型:表面贴装

封装/外壳:模具

供应商器件封装:模具

标准包装:1

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